CatálogoContacto
|ComponentesMemoria RAM
KINGSTON MEMORIA 64GB 6400MT/S DDR5 ECC REG CL52  2RX4 HYNIX A
Sin stock

KINGSTON MEMORIA 64GB 6400MT/S DDR5 ECC REG CL52 2RX4 HYNIX A

KingstonMPN KSM64R52BD4-64HAEAN 0740617349245

Este artículo no tiene precio disponible.

Descripción del fabricante

- On-Die ECC: No - Rango de memoria de transferencia de datos: 6400 MT/s - Tiempo activo en fila: 32 ns - Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns - Tiempo de ciclo de fila: 48 ns - Placa de plomo: Oro - Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,8 V - Perfil SPD: Si - Voltaje de memoria: 1.1 V - Latencia CAS: 52 - ECC: Si - Tipo de memoria con búfer: Registered (buffered) - Tiempo mínimo entre una fase de precarga y una fase de activación (TRP): 16 - Clasificación de memoria: 1 - Estándar JEDEC: Si - Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM - Componente para: Servidor - Tipo de memoria interna: DDR5 - Memoria interna: 64 GB - Altura: 31,2 mm - Ancho: 133,3 mm - Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 95 °C - Doesn't contain: Halógeno - Compliance certificates: RoHS - Organización de los chips: 1Rx8 On-Die ECC: No Rango de memoria de transferencia de datos: 6400 MT/s Tiempo activo en fila: 32 ns Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns Tiempo de ciclo de fila: 48 ns Placa de plomo: Oro

Ficha técnica
Capacidad
64 GB
Tipo memoria
DDR5
Velocidad RAM
6400 MT/s
Memoria RAM
64 GB
Ver 26 datos más
ECC
Si
Ancho
133,3 mm
Altura
31,2 mm
On-Die ECC
No
Perfil SPD
Si
Latencia CAS
52
Placa de plomo
Oro
Componente para
Servidor
Doesn't contain
Halógeno
Estándar JEDEC
Si
Memoria interna
64 GB
Voltaje de memoria
1.1 V
Tiempo activo en fila
32 ns
Compliance certificates
RoHS
Tiempo de ciclo de fila
48 ns
Tipo de memoria interna
DDR5
Clasificación de memoria
1
Forma de factor de memoria
288-pin DIMM
Organización de los chips
1Rx8
Tipo de memoria con búfer
Registered (buffered)
Intervalo de temperatura operativa
0 - 95 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Programador de potencia de voltaje (VPP)
1,8 V
Tiempo de actualización de ciclo de fila
295 ns
Rango de memoria de transferencia de datos
6400 MT/s
Tiempo mínimo entre una fase de precarga y una fase de activación (TRP)
16