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Kingston Technology KSM56R46BS8-16MD módulo de memoria 16 GB 1 x 16 GB DDR5
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Kingston Technology KSM56R46BS8-16MD módulo de memoria 16 GB 1 x 16 GB DDR5

KingstonMPN KSM56R46BS8-16MDEAN 0740617345414

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Descripción del fabricante

- On-Die ECC: Si - Rango de memoria de transferencia de datos: 5600 MT/s - Tiempo activo en fila: 32 ns - Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns - Tiempo de ciclo de fila: 48 ns - Placa de plomo: Oro - Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,8 V - Perfil SPD: Si - Voltaje de memoria: 1.1 V - Latencia CAS: 46 - ECC: No - Tipo de memoria con búfer: Registered (buffered) - Tiempo mínimo entre una fase de precarga y una fase de activación (TRP): 16 - Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB - Clasificación de memoria: 1 - Configuración de módulos: 2048M x 80 - Estándar JEDEC: Si - Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM - Componente para: PC/servidor - Tipo de memoria interna: DDR5 - Memoria interna: 16 GB - Altura: 31,2 mm - Ancho: 133,3 mm - Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 95 °C - Doesn't contain: Halógeno - Compliance certificates: RoHS On-Die ECC: Si Rango de memoria de transferencia de datos: 5600 MT/s Tiempo activo en fila: 32 ns Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns Tiempo de ciclo de fila: 48 ns Placa de plomo: Oro

Ficha técnica
Capacidad
16 GB
Tipo memoria
DDR5
Velocidad RAM
5600 MT/s
Memoria RAM
16 GB
Ver 27 datos más
ECC
No
Ancho
133,3 mm
Altura
31,2 mm
On-Die ECC
Si
Perfil SPD
Si
Latencia CAS
46
Placa de plomo
Oro
Componente para
PC/servidor
Doesn't contain
Halógeno
Estándar JEDEC
Si
Memoria interna
16 GB
Voltaje de memoria
1.1 V
Tiempo activo en fila
32 ns
Compliance certificates
RoHS
Tiempo de ciclo de fila
48 ns
Tipo de memoria interna
DDR5
Clasificación de memoria
1
Configuración de módulos
2048M x 80
Forma de factor de memoria
288-pin DIMM
Tipo de memoria con búfer
Registered (buffered)
Intervalo de temperatura operativa
0 - 95 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 16 GB
Programador de potencia de voltaje (VPP)
1,8 V
Tiempo de actualización de ciclo de fila
295 ns
Rango de memoria de transferencia de datos
5600 MT/s
Tiempo mínimo entre una fase de precarga y una fase de activación (TRP)
16