Kingston Technology KVR64V52BS8-32 módulo de memoria 32 GB 1 x 32 GB DDR5
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- On-Die ECC: Si - Rango de memoria de transferencia de datos: 6400 MT/s - Tiempo activo en fila: 32 ns - Tiempo de actualización de ciclo de fila: 410 ns - Tiempo de ciclo de fila: 48 ns - Placa de plomo: Oro - Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,8 V - Perfil SPD: Si - Voltaje de memoria: 1.1 V - Latencia CAS: 52 - ECC: No - Tipo de memoria con búfer: Con relojˌ no registrado (sin búfer) - Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB - Clasificación de memoria: 1 - Configuración de módulos: 4096M x 64 - Estándar JEDEC: Si - Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM - Componente para: Portátil - Tipo de memoria interna: DDR5 - Memoria interna: 32 GB - Altura: 30 mm - Ancho: 69,6 mm - Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C - Doesn't contain: Halógeno - Compliance certificates: RoHS On-Die ECC: Si Rango de memoria de transferencia de datos: 6400 MT/s Tiempo activo en fila: 32 ns Tiempo de actualización de ciclo de fila: 410 ns Tiempo de ciclo de fila: 48 ns Placa de plomo: Oro
- Capacidad
- 32 GB
- Tipo memoria
- DDR5
- Velocidad RAM
- 6400 MT/s
- Memoria RAM
- 32 GB
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- ECC
- No
- Ancho
- 69,6 mm
- Altura
- 30 mm
- On-Die ECC
- Si
- Perfil SPD
- Si
- Latencia CAS
- 52
- Placa de plomo
- Oro
- Componente para
- Portátil
- Doesn't contain
- Halógeno
- Estándar JEDEC
- Si
- Memoria interna
- 32 GB
- Voltaje de memoria
- 1.1 V
- Tiempo activo en fila
- 32 ns
- Compliance certificates
- RoHS
- Tiempo de ciclo de fila
- 48 ns
- Tipo de memoria interna
- DDR5
- Clasificación de memoria
- 1
- Configuración de módulos
- 4096M x 64
- Forma de factor de memoria
- 262-pin SO-DIMM
- Tipo de memoria con búfer
- Con relojˌ no registrado (sin búfer)
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 85 °C
- Intervalo de temperatura de almacenaje
- -55 - 100 °C
- Diseño de memoria (módulos x tamaño)
- 1 x 32 GB
- Programador de potencia de voltaje (VPP)
- 1,8 V
- Tiempo de actualización de ciclo de fila
- 410 ns
- Rango de memoria de transferencia de datos
- 6400 MT/s
