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Samsung 9100 PRO 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND
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Samsung 9100 PRO 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND

SamsungMPN MZ-VAP8T0CWEAN 8806095811642

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Descripción del fabricante

- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) - Factor de forma de disco SSD: M.2 - SSD: 8 TB - Interfaz: PCI Express 5.0 - Tipo de memoria: V-NAND - NVMe: Si - Componente para: PC/ordenador portátil - Encriptación de hardware: Si - Velocidad de lectura: 14800 MB/s - Velocidad de escritura: 13400 MB/s - Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES - Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS - Tiempo medio entre fallos: 1500000 h - Soporte S.M.A.R.T.: Si - Soporte TRIM: Si - Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 - Función DevSleep: Si - Ancho: 80,2 mm - Profundidad: 3,88 mm - Altura: 22,1 mm - Peso: 9,5 g - Voltaje de operación: 3,3 V - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C - Golpes en funcionamiento: 1500 G - Periodo de garantía: 5 año(s) - Tipo de embalaje: Caja Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Factor de forma de disco SSD: M.2 SSD: 8 TB Interfaz: PCI Express 5.0 Tipo de memoria: V-NAND NVMe: Si

Ficha técnica
Tipo almacenamiento
NVMe SSD
Capacidad
8 TB
Almacenamiento
8 TB SSD
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Resolución
4K UHD
Tamaño ventilador
80 mm
SSD
8 TB
NVMe
Si
Peso
9,5 g
Ancho
80,2 mm
Altura
22,1 mm
Interfaz
PCI Express 5.0
Profundidad
3,88 mm
Soporte TRIM
Si
Componente para
PC/ordenador portátil
Tipo de memoria
V-NAND
Tipo de embalaje
Caja
Función DevSleep
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Periodo de garantía
5 año(s)
Velocidad de lectura
14800 MB/s
Voltaje de operación
3,3 V
Velocidad de escritura
13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Golpes en funcionamiento
1500 G
Encriptación de hardware
Si
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Factor de forma de disco SSD
M.2
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4