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Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

SamsungMPN MZ-V9P1T0BWEAN 8806094215021

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Descripción del fabricante

- Memoria caché DDR externa: Si - Cantidad de memoria caché DDR externa: 1024 MB - Factor de forma de disco SSD: M.2 - SSD: 1 TB - Interfaz: PCI Express 4.0 - Tipo de memoria: V-NAND MLC - NVMe: Si - Componente para: PC - Encriptación de hardware: Si - Velocidad de lectura: 7450 MB/s - Velocidad de escritura: 6900 MB/s - Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES - Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS - Tiempo medio entre fallos: 1500000 h - Versión NVMe: 2.0 - Soporte S.M.A.R.T.: Si - Soporte TRIM: Si - Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 - Función DevSleep: Si - Ancho: 80 mm - Profundidad: 2,3 mm - Altura: 22 mm - Peso: 9 g - Consumo de energía (promedio): 5,4 W - Voltaje de operación: 3,3 V - Consumo de energía (max): 7,8 W - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C - Vibración operativa: 1500 G - Máxima temperatura: 70 °C - Tipo de embalaje: Caja Memoria caché DDR externa: Si Cantidad de memoria caché DDR externa: 1024 MB Factor de forma de disco SSD: M.2 SSD: 1 TB Interfaz: PCI Express 4.0 Tipo de memoria: V-NAND MLC

Ficha técnica
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SSD
1 TB
NVMe
Si
Peso
9 g
Ancho
80 mm
Altura
22 mm
Interfaz
PCI Express 4.0
Profundidad
2,3 mm
Soporte TRIM
Si
Versión NVMe
2.0
Componente para
PC
Tipo de memoria
V-NAND MLC
Tipo de embalaje
Caja
Función DevSleep
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Máxima temperatura
70 °C
Velocidad de lectura
7450 MB/s
Vibración operativa
1500 G
Voltaje de operación
3,3 V
Velocidad de escritura
6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
1200000 IOPS
Consumo de energía (max)
7,8 W
Encriptación de hardware
Si
Escritura aleatoria (4KB)
1550000 IOPS
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Memoria caché DDR externa
Si
Factor de forma de disco SSD
M.2
Consumo de energía (promedio)
5,4 W
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Cantidad de memoria caché DDR externa
1024 MB
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4