Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) - Factor de forma de disco SSD: M.2 - SSD: 1 TB - Interfaz: PCI Express 4.0 - Tipo de memoria: V-NAND MLC - NVMe: Si - Componente para: PC - Encriptación de hardware: Si - Velocidad de lectura: 7450 MB/s - Velocidad de escritura: 6900 MB/s - Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES - Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS - Tiempo medio entre fallos: 1500000 h - Versión NVMe: 2.0 - Soporte S.M.A.R.T.: Si - Soporte TRIM: Si - Función DevSleep: Si - Ancho: 80 mm - Profundidad: 8,2 mm - Altura: 24,3 mm - Peso: 28 g - Consumo de energía (promedio): 5,4 W - Voltaje de operación: 3,3 V - Consumo de energía (max): 7,8 W - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C - Golpes en funcionamiento: 1500 G Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Factor de forma de disco SSD: M.2 SSD: 1 TB Interfaz: PCI Express 4.0 Tipo de memoria: V-NAND MLC NVMe: Si
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- SSD
- 1 TB
- NVMe
- Si
- Peso
- 28 g
- Ancho
- 80 mm
- Altura
- 24,3 mm
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- Profundidad
- 8,2 mm
- Soporte TRIM
- Si
- Versión NVMe
- 2.0
- Componente para
- PC
- Tipo de memoria
- V-NAND MLC
- Función DevSleep
- Si
- Soporte S.M.A.R.T.
- Si
- Velocidad de lectura
- 7450 MB/s
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Velocidad de escritura
- 6900 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB)
- 1200000 IOPS
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
- Consumo de energía (max)
- 7,8 W
- Encriptación de hardware
- Si
- Escritura aleatoria (4KB)
- 1550000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Tamaño de la unidad SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Consumo de energía (promedio)
- 5,4 W
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
