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Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SamsungMPN MZ-V9S1T0BWEAN 8806095575674

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Descripción del fabricante

- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) - Factor de forma de disco SSD: M.2 - SSD: 1 TB - Interfaz: PCI Express 4.0 - Tipo de memoria: V-NAND TLC - NVMe: Si - Componente para: PC - Encriptación de hardware: Si - Velocidad de lectura: 7150 MB/s - Velocidad de escritura: 6300 MB/s - Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES - Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB): 1350000 IOPS - Tiempo medio entre fallos: 1500000 h - Versión NVMe: 2.0 - Soporte S.M.A.R.T.: Si - Soporte TRIM: Si - Ancho: 80,2 mm - Profundidad: 2,38 mm - Altura: 22,1 mm - Peso: 9 g - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Factor de forma de disco SSD: M.2 SSD: 1 TB Interfaz: PCI Express 4.0 Tipo de memoria: V-NAND TLC NVMe: Si

Ficha técnica
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SSD
1 TB
NVMe
Si
Peso
9 g
Ancho
80,2 mm
Altura
22,1 mm
Interfaz
PCI Express 4.0
Profundidad
2,38 mm
Soporte TRIM
Si
Versión NVMe
2.0
Componente para
PC
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Velocidad de lectura
7150 MB/s
Velocidad de escritura
6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
850000 IOPS
Encriptación de hardware
Si
Escritura aleatoria (4KB)
1350000 IOPS
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Factor de forma de disco SSD
M.2
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C