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Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

SamsungMPN MZ-VAP4T0BWEAN 8806095811703

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Descripción del fabricante

- Factor de forma de disco SSD: M.2 - SSD: 4 TB - Interfaz: PCI Express 5.0 - Tipo de memoria: V-NAND TLC - NVMe: Si - Componente para: PC/ordenador portátil - Encriptación de hardware: Si - Velocidad de lectura: 14800 MB/s - Velocidad de escritura: 13400 MB/s - Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES - Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS - Tiempo medio entre fallos: 1500000 h - Soporte S.M.A.R.T.: Si - Soporte TRIM: Si - Ancho: 80,2 mm - Profundidad: 2,38 mm - Altura: 22,1 mm - Peso: 9 g - Voltaje de operación: 3,3 V - Average power consumption (read): 9 W - Average power consumption (write): 8,2 W - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C - Golpes en funcionamiento: 1500 G - Tipo de embalaje: Caja Factor de forma de disco SSD: M.2 SSD: 4 TB Interfaz: PCI Express 5.0 Tipo de memoria: V-NAND TLC NVMe: Si Componente para: PC/ordenador portátil

Ficha técnica
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SSD
4 TB
NVMe
Si
Peso
9 g
Ancho
80,2 mm
Altura
22,1 mm
Interfaz
PCI Express 5.0
Profundidad
2,38 mm
Soporte TRIM
Si
Componente para
PC/ordenador portátil
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Tipo de embalaje
Caja
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Velocidad de lectura
14800 MB/s
Voltaje de operación
3,3 V
Velocidad de escritura
13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Golpes en funcionamiento
1500 G
Encriptación de hardware
Si
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Factor de forma de disco SSD
M.2
Average power consumption (read)
9 W
Average power consumption (write)
8,2 W
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C