Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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- Factor de forma de disco SSD: M.2 - SSD: 8 TB - Interfaz: PCI Express 5.0 - Tipo de memoria: V-NAND TLC - NVMe: Si - Componente para: PC/ordenador portátil - Encriptación de hardware: Si - Velocidad de lectura: 14800 MB/s - Velocidad de escritura: 13400 MB/s - Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES - Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS - Tiempo medio entre fallos: 1500000 h - Soporte S.M.A.R.T.: Si - Soporte TRIM: Si - Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 - Función DevSleep: Si - Ancho: 80,2 mm - Profundidad: 3,88 mm - Altura: 22,1 mm - Voltaje de operación: 3,3 V - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C - Golpes en funcionamiento: 1500 G - Periodo de garantía: 5 año(s) - Tipo de embalaje: Caja Factor de forma de disco SSD: M.2 SSD: 8 TB Interfaz: PCI Express 5.0 Tipo de memoria: V-NAND TLC NVMe: Si Componente para: PC/ordenador portátil
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- SSD
- 8 TB
- NVMe
- Si
- Ancho
- 80,2 mm
- Altura
- 22,1 mm
- Interfaz
- PCI Express 5.0
- Profundidad
- 3,88 mm
- Soporte TRIM
- Si
- Componente para
- PC/ordenador portátil
- Tipo de memoria
- V-NAND TLC
- Tipo de embalaje
- Caja
- Función DevSleep
- Si
- Soporte S.M.A.R.T.
- Si
- Periodo de garantía
- 5 año(s)
- Velocidad de lectura
- 14800 MB/s
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Velocidad de escritura
- 13400 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB)
- 2200000 IOPS
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
- Encriptación de hardware
- Si
- Escritura aleatoria (4KB)
- 2600000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Carriles datos de interfaz PCI Express
- x4
